Бенцион Моисеевич [р. 9 (22).5.1903, Белая Церковь], советский физик, член-корреспондент АН СССР (1939), Герой Социалистического Труда (1969). Член КПСС с 1922. Окончил Киевский политехнический институт в 1928. С 1932 работает в Физическом институте АН СССР, с 1933 руководит организованной им лабораторией физики диэлектриков (ныне лаборатория физики полупроводников). С 1951 член Главной редакции БСЭ. Основные труды по физике диэлектриков и полупроводников. В. установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях; развил основы теории фильтрации аэрозолей (1937). Открыл (1944) новый сегнетоэлектрик - титанат бария BaTiO₃ (Государственная премия СССР, 1946), что положило начало многим научным работам и практическим применениям в области сегнетоэлектричества. Ряд работ посвящён исследованиям р-n-переходов в полупроводниках и основам теории полупроводниковых приборов. Под руководством В. созданы первые в СССР лабораторные образцы полупроводниковых приборов. Впервые предложил использовать р-n-переходы в качестве нелинейных конденсаторов, что находит широкое применение в параметрических усилителях. В 1962 совместно с другими осуществил первый в СССР полупроводниковый квантовый генератор (Ленинская премия, 1964). Награждён 4 орденами Ленина, 2 другими орденами, а также медалями.

Соч.: Последовательный пробой твердых диэлектриков, "Журнал технической физики", 1932, т. 2, в. 3-4; Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, "Электричество", 1946, № 3 (совм. с И. М. Гольдманом); О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках, "Журнал технической физики", 1955, в. 1; Электрическая прочность полупроводников, "Физика и техника полупроводников", 1967, т. 1, в. 11, с. 1638

Лит.: Бенцион Моисеевич Вул, "Успехи физических наук", 1963, т. 80, в. 4.